Influences of Structure Defects on the Performances of Solution-Processed OFET
發布人: 星禧   發布時間: 2018-08-06    浏覽次數:

主講人簡介:

王建隆,副教授(2015-現),副教授(2011-2015年),國立台灣大學應用化學系副教授;阿克倫大學高分子工程系博士後研究助理(2011年);阿克倫大學高分子科學系博士(2011;國立台灣大學化學系(2001;國立台灣師範大學化學系學士(1999)。

報告内容簡介:

電荷傳輸通道的質量對有機場效應晶體管(OFET)的性能有很大的影響。為了達到更高的電荷遷移率,solution-processed單晶體(SPSC)技術被用來建立共轭分子的晶體陣列,作為有效的電荷傳輸通道。然而,晶體陣列中細微的結構缺陷截斷了電荷傳輸途徑,影響了OFET機動性。在此演示中,将演示識别共轭分子晶體陣列的低角晶界(LAGB)、多态性和結晶度的表征過程。在此基礎上,讨論了網格排列、包裝結構和結晶度對OFET流動性的影響。結果表明:(1)統一晶格方向和包裝結構,(2)晶體域的連續性在解決方案的性能和再現性中起着重要的作用。

 
 
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